- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
MT40A2G8VA-062E IT:B
MT40A2G8VA-062E IT:B
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT40A2G8VA-062E IT:B
- 商品编号
- C20549359
- 商品封装
- FBGA-78(10x11)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR4 SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.6GHz | |
| 存储容量 | 16Gbit | |
| 工作电压 | 1.14V~1.26V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | -40℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能；自动自刷新；CRC功能；输出使能；自动预充电功能；ZQ校准功能；动态片上端接；数据掩码功能 |
商品特性
- VDD = VDDO = 1.2V ± 60mV
- VPP = 2.5V，-125mV，+250mV
- 片上、内部、可调的VREFDQ生成
- 1.2V伪开漏I/O
- TC最高可达95°C
- 64ms、8192周期刷新，最高可达85°C
- 32ms、8192周期刷新，温度范围为>85°C至95°C
- 16个内部存储体（x4、x8）：每组4个存储体，共4组
- 8个内部存储体（x16）：每组4个存储体，共2组
- 8n位预取架构
- 可编程数据选通前导码
- 数据选通前导码训练
- 命令/地址延迟（CAL）
- 多功能寄存器读写能力
- 写电平调整
- 自刷新模式
- 低功耗自动自刷新（LPASR）
- 温度控制刷新（TCR）
- 精细粒度刷新
- 自刷新中止
- 最大节能
- 输出驱动器校准
- 标称、空闲和动态片上终端（ODT）
- 数据总线反相（DBI）用于数据总线
- 命令/地址（CA）奇偶校验
- 数据总线写循环冗余校验（CRC）
- 每个DRAM可寻址性
- 连接性测试
- 符合JEDEC JESD - 79 - 4标准
- sPPR和hPPR能力
- 7-1879260-3
- FCQ38999/20KG11PBMIL-STD-461
- FCQ38999/20MD4SDMIL-STD-461
- GTC06R20-23PY-023-B30-LC
- FCQ38999/24TH55SAMIL-STD-461
- FCQ38999/23NH53PNMIL-STD-461
- FCQ38999/20LB5AAMIL-STD-461
- CF50-473JTA
- CMV2000-3E5C1PP
- FCQ38999/26JH6SNMIL-STD-461
- FCQ38999/20LC8BEMIL-STD-461
- FCQ38999/26F37BCMIL-STD-461
- 1-2379397-1
- GTC030CFZ24-28SZ-025-LC
- GTC030-32-16P-025-B30-LC
- FCQ38999/24WB2SNMIL-STD-461
- FCQ38999/24ZB98SNMIL-STD-461
- TUHC-88B-930-Q
- C77-Z010-SR4
- FCQ38999/24TB5PEMIL-STD-461
- 1.5KE56A-HF