W9412G6JH-4
2M x 4 BANKS x 16 BITS DDR SDRAM
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- 品牌名称
- Winbond(华邦)
- 商品型号
- W9412G6JH-4
- 商品编号
- C20530418
- 商品封装
- 66-TSOP II
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 250MHz | |
| 存储容量 | 128Mbit | |
| 工作电压 | 2.4V~2.7V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | 60mA | |
| 刷新电流 | 2mA | |
| 工作温度 | 0℃~+70℃ | |
| 功能特性 | 自动预充电功能；数据掩码功能 |
商品概述
W9412G6JH是一款CMOS双数据速率同步动态随机存取存储器（DDR SDRAM），其结构为2M字×4个存储体×16位。W9412G6JH可提供高达每秒500M字的数据带宽（-4）。为完全符合个人计算机行业标准，W9412G6JH分为两种速度等级：-4和-5。-4符合DDR500/CL3和CL4规范，-5符合DDR400/CL3规范。所有输入信号均参考CLK的上升沿（DQ、DM和CKE除外）。差分时钟的时序参考点是CLK和CLK信号在转换期间交叉的时刻。写入和读取数据与DQS（数据选通）的两个边沿同步。通过可编程模式寄存器，系统可以更改突发长度、延迟周期、交错或顺序突发，以实现性能最大化。W9412G6JH非常适合用于高性能应用的主存储器。
商品特性
- DDR400的电源电压为2.5V ±0.2V
- DDR500的电源电压为2.4V~2.7V
- 时钟频率高达250 MHz
- 双数据速率架构；每个时钟周期进行两次数据传输
- 差分时钟输入（CLK和CLK）
- DQS在读取时与数据边沿对齐；在写入时与数据中心对齐
- CAS延迟：2、2.5、3和4
- 突发长度：2、4和8
- 自动刷新和自刷新
- 预充电掉电和主动掉电
- 写入数据掩码
- 写入延迟 = 1
- 刷新间隔为15.6μS（4K/64 mS刷新）
- 最大突发刷新周期：8
- 接口：SSTL_2
- 采用TSOP II 66引脚封装，使用符合RoHS标准的无铅材料