SMPJ177
SMPJ177
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- 描述
- SMPJ177是一款低噪声、高增益的P-Channel JFET，适用于高增益应用。具有低栅漏电流和高辐射耐受性。
- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- SMPJ177
- 商品编号
- C20515426
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 800mV；2.25V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 300Ω | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 5.5pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 5.5pF | |
| FET类型 | P沟道 |
商品概述
30V的InterFET J176和J177是极低泄漏、低噪声的P沟道JFET，适用于高增益开关、换向器和斩波器应用。在室温下，栅极泄漏电流通常小于3pA。J177的截止电压小于2.25V，非常适合低电平电源。InterFET专有工艺使其具有极高的抗辐射能力。
商品特性
- InterFET P0099F几何结构
- 低噪声：典型值2.0nV/√Hz
- 高增益：典型值10mS
- 低栅极泄漏：典型值2.5pA @10V
- 典型IDSS：10mA
- 典型BVGSS：55V
- 高抗辐射能力
- 符合RoHS、REACH、CMR标准
- 提供定制测试和分档选项
- 提供SMT、TH和裸片封装选项
- SPICE边缘情况建模：InterFET SPICE
应用领域
- 放大器
- 开关
- 电压调节器
- 振荡器
- 信号混频器