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温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
SMP152
SMP152
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- 描述
- 低噪声高增益的N-Channel JFET，适用于低噪声、高增益应用。栅极泄漏电流通常小于50pA。TO-18封装。
- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- SMP152
- 商品编号
- C20514327
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 500mV | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 20V | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 20mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 15pF | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
IFN152 是一款 -20V 的 N 沟道 JFET，作为日本 2SK152 JFET 的低噪声、高增益替代品。在室温下，其栅极漏电流典型值小于 50pA。TO-18 封装为气密封装。
商品特性
- InterFET N0132L 几何结构
- 低噪声：典型值 1.0 nV/√Hz
- 高增益：典型值 30mS
- 符合 RoHS 标准
- 提供表面贴装、通孔和裸片封装选项
应用领域
- 低噪声、高增益
- 替代日本 2SK152
- W632GG6KB-12 TR
- 2007827-2
- A/10K-E1-BBS
- GTC00A28-9PY-LC
- WB-48PB
- FCQ38999/24TE6PAMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ90SEMIL-STD-461
- TLHS-88R-930-Q
- MT47H128M4SH-25E:H TR
- MT47H128M8CF-25E IT:H
- 1624143-1
- 1879027-1
- ACC05E24-9SW-025-LC
- W632GG6KB-11
- FCQ38999/24ZD19PAMIL-STD-461
- A/1K-3W-BP
- PY1101W-TR
- FCQ38999/20KH53SBMIL-STD-461
- FCQ38999/20ZC8AAMIL-STD-461
- FCQ38999/20KC4PEMIL-STD-461
- FCQ38999/20TB35PNMIL-STD-461