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IFN160CST3TR
IFN160CST3TR
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- 品牌名称
- InterFET
- 商品型号
- IFN160CST3TR
- 商品编号
- C20515123
- 商品封装
- SOT-23-3
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.034克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | 80V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 6mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
InterFET IFN160A、IFN160B和IFN160C器件适用于对成本敏感的低噪声设计。这些器件非常适合音频麦克风和前置放大器设计。在室温下，栅极泄漏电流通常小于3pA。与2SK160 JFET完全兼容。
商品特性
- 采用InterFET N107A几何结构
- 低栅极泄漏电流：在20V时典型值为3.00A
- 低输入电容CISS：典型值为4pF
- 低截止电压：典型值为 -1.0V
- 典型BVGSS： -80V
- 高辐射耐受性
- 提供定制测试和分档选项
- 符合RoHS、REACH和CMR标准
- 提供SMT和裸片封装选项
- 边缘情况SPICE建模：InterFET SPICE
应用领域
- 通用领域：放大器、高阻抗开关、信号混频器
- 音频领域：音调控制电路、耳机放大器、音频滤波器、前置放大器扬声器驱动、麦克风阻抗变换和驱动、唱机前置放大器
- 医疗领域：医学成像系统、医疗监护仪和记录仪、超声设备
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