商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 结型场效应管(JFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 6V | |
| 栅源击穿电压(Vgss) | - | |
| 耗散功率(Pd) | 300mW | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 漏源电流(Idss) | 15mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 工作温度 | -55℃~+125℃ | |
| 配置 | - | |
| 输出电容(Coss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| FET类型 | N沟道 |
商品概述
该-30V InterFET 2N4416与2N4416A N沟道JFET旨在用于敏感的混频器和VHF放大器设计。其栅极漏电流在室温下通常低于10pA。A版本具有更高的击穿电压。TO-72封装为气密密封。
商品特性
- InterFET N0026S几何结构
- 低噪声：典型值4 nV/√Hz
- 低漏电流：典型值10pA
- 符合RoHS标准
- 提供表面贴装、通孔和裸片封装选项
应用领域
- 混频器
- VHF放大器
- SMPJ109TR
- SMP4416
- SMPJ305
- GTC02R16S-17P-LC
- 5-1616958-0
- FCQ38999/25NJ8PEMIL-STD-461
- GTCL06A28-12SY-B30-LC
- FCQ38999/25NB99PCMIL-STD-461
- MT47H128M8CF-25E:H
- AS4C64M16MD1-5BIN
- 128240C FC BW-RGB
- 6355-0003-23
- ACC04E24-9PZ-025-LC
- 74LVTH162374ZRDR
- CF200-473JTR
- GTC08-36-3SZ-023-RDS-LC
- CRT8002B-023BI
- FCQ38999/24FE2BCMIL-STD-461
- FCQ38999/24MG11PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26MJ4BBMIL-STD-461
- GTC030CF32-15S-RDS-LC