MT41K512M8DA-093:P TR
4Gb:X4, X8, X16 DDR3L SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT41K512M8DA-093:P TR
- 商品编号
- C20509637
- 商品封装
- 78-FBGA (8x10.5)
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.316克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | DDR SDRAM | |
| 存储器构架(格式) | DDR3L SDRAM | |
| 时钟频率(fc) | 1.0665GHz | |
| 存储容量 | 4Gbit | |
| 工作电压 | 1.283V~1.45V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | - | |
| 工作温度 | 0℃~+95℃ | |
| 功能特性 | 写入均衡功能;自动自刷新;自动预充电功能;ZQ校准功能;异步复位功能;动态片上端接;数据掩码功能 |
商品概述
DDR3L SDRAM(1.35V)是DDR3(1.5V)SDRAM的低电压版本。在1.5V兼容模式下运行时,请参考DDR3(1.5V)SDRAM(芯片版本:E)的数据手册规格。
商品特性
- VDD = VDDQ = 1.35V(1.283 - 1.45V)
- 向后兼容VDD = VDDQ = 1.5V ± 0.075V
- 支持DDR3L设备在1.5V应用中向后兼容
- 差分双向数据选通
- 8n位预取架构
- 差分时钟输入(CK,CK#)
- 8个内部存储体
- 数据、选通和掩码信号的标称和动态片上终结(ODT)
- 可编程CAS(读)延迟(CL)
- 可编程后置CAS附加延迟(AL)
- 可编程CAS(写)延迟(CWL)
- 固定突发长度(BL)为8,突发截断(BC)为4(通过模式寄存器组[MRS])
- 可动态选择BC4或BL8
- 自刷新模式
- TC为105°C
- 在85°C及以下,64ms内进行8192次刷新
- 在85°C至95°C之间,32ms内进行8192次刷新
- 在95°C至105°C之间,16ms内进行8192次刷新
- 自刷新温度(SRT)
- 自动自刷新(ASR)
- 写电平校准
- 多功能寄存器
- 输出驱动器校准
- MT41K512M8DA-093 IT:P TR
- FCQ38999/20MD15PEMIL-STD-461
- FCQ38999/26ME26PCMIL-STD-461
- ACC00A20-16SY-003-LC
- GTC06-32-68PW-B30-LC
- FCQ38999/20FF11SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24FD35PAMIL-STD-461
- GTC06CF16S-5PY-025-LC
- ACC06R24-20PZ-003-LC
- ACC02A20-21RW-003-LC
- FCQ38999/20WB99PDMIL-STD-461
- FCQ38999/23NC35SAMIL-STD-461
- FCQ38999/24MF18PBMIL-STD-461
- FCQ38999/26TJ7BEMIL-STD-461
- FCQ38999/26TJ24SAMIL-STD-461
- ASMCJ11CA-HF
- ACC08AF32-76PX-003-LC
- FCQ38999/20TG35SDMIL-STD-461
- FCQ38999/20JE22PDMIL-STD-461
- FCQ38999/20FG41SAMIL-STD-461
- 1599027-1

