MT45W4MW16BFB-708 WT F

Name: micron(镁光) MT45W4MW16BFB-708 WT F
Brand: micron(镁光)
SKU: C20498004
Price: 54.17 CNY
Availability: OutOfStock

64Mb 4Meg x 16 异步/页/突发 CellularRAM 1.0 内存

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商品参数

	属性	参数值
	商品目录	PSRAM(伪静态)

	属性	参数值
	功能特性	部分阵列刷新；刷新冲突指示；内置自动刷新逻辑；温度补偿刷新；内置电压传感器

单设备支持异步、页面和突发操作
随机访问时间：70ns
VCC、VCCQ电压：1.70V - 1.95V，Vcc 1.70V - 3.30V，VccQ
页面模式读取访问：16字页面大小，页间读取访问70ns，页内读取访问20ns
突发模式写入访问：连续突发
突发模式读取访问：4、8或16字，或连续突发，最大时钟速率80MHz（tCLK = 12.5ns）
突发初始延迟：在80MHz下为50ns（4个时钟）
tACLK：在80MHz下为9ns
低功耗：异步读取<25mA，页内读取<15mA，初始访问、突发读取（在80MHz下50ns[4个时钟]）<35mA，连续突发读取<15mA，待机：标准120μA，低功耗选项100μA，深度掉电<10μA（25°C典型值）
低功耗特性：温度补偿刷新（TCR）、部分阵列刷新（PAR）、深度掉电（DPD）模式