MT45W4MW16BFB-856 WT
64Mb 4Meg x 16 异步/页/突发 CellularRAM 1.0 内存
SMT扩展库PCB免费打样
私有库下单最高享92折
- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- MT45W4MW16BFB-856 WT
- 商品编号
- C20499944
- 商品封装
- 54-VFBGA (6x9)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | PSRAM(伪静态) |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 部分阵列刷新；刷新冲突指示；内置自动刷新逻辑；温度补偿刷新；内置电压传感器 |
商品特性
- 单设备支持异步、页面和突发操作
- 随机访问时间：70ns
- VCC、VCCQ电压：1.70V - 1.95V，Vcc 1.70V - 3.30V，VccQ
- 页面模式读取访问：16字页面大小，页间读取访问70ns，页内读取访问20ns
- 突发模式写入访问：连续突发
- 突发模式读取访问：4、8或16字，或连续突发，最大时钟速率80MHz（tCLK = 12.5ns）
- 突发初始延迟：在80MHz下为50ns（4个时钟）
- tACLK：在80MHz下为9ns
- 低功耗：异步读取<25mA，页内读取<15mA，初始访问、突发读取（在80MHz下50ns[4个时钟]）<35mA，连续突发读取<15mA，待机：标准120μA，低功耗选项100μA，深度掉电<10μA（25°C典型值）
- 低功耗特性：温度补偿刷新（TCR）、部分阵列刷新（PAR）、深度掉电（DPD）模式