MT45W1MW16BAFB-856 WT

Name: micron(美光) MT45W1MW16BAFB-856 WT
Brand: micron(美光)
SKU: C20499884
Price: 24.14 CNY
Availability: OutOfStock

异步/页/突发 CellularRAM 1.0 内存

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商品参数

	属性	参数值
	商品目录	PSRAM(伪静态)

	属性	参数值
	功能特性	内置温度传感器；部分阵列刷新；刷新冲突指示；温度补偿刷新；内置电压传感器

单器件支持异步、页面和突发操作
随机访问时间：70ns、85ns；VCC、VCCQ电压1.70V - 1.95V，Vcc 1.70V - 3.30V，VccQ
页面模式读取访问：十六字页面大小；页间读取访问：70ns；页内读取访问：20ns
突发模式写入访问：连续突发
突发模式读取访问：4、8或16字，或连续突发；最大时钟速率：80MHz（tCLK = 12.5ns）；突发初始延迟：50ns（4个时钟）@ 80 MHz；tACLK：9ns @ 80 MHz
低功耗：异步读取：<20mA；页内读取：<15mA；初始访问、突发读取（50ns [4个时钟] @ 80 MHz）< 35mA；连续突发读取：<15mA；待机：110μA（32Mb – 标准）、80μA（16Mb）、90μA（32Mb – 低功耗选项）；深度掉电：<10μA（典型值@ 25°C）
低功耗特性
温度补偿刷新（TCR）
片上温度传感器
部分阵列刷新（PAR）
深度掉电（DPD）模式