商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 连续漏极电流(Id) | 12A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
商品概述
GTVA212701FA是一款270瓦的碳化硅基氮化镓（GaN on SiC）增强型高电子迁移率晶体管（HEMT）耗尽型（D-mode）放大器，适用于2110至2200 MHz频段。它具有输入匹配、高效率和散热增强型无引脚封装的特点。
商品特性
- 碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术
- 输入匹配
- 典型脉冲连续波(CW)性能(AB类),2180 MHz,48 V,脉冲宽度10 μs,占空比10%
- 输出功率 P3dB = 300 ~W
- 漏极效率 = 68.5%
- 增益 = 17.5 dB
- 人体模型1B类(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
- 能承受10:1的电压驻波比(VSWR),48 V,56.2 W(宽带码分多址,WCDMA)输出功率
- 低热阻
- 无铅且符合RoHS标准