GTVA262711FA-V2-R0

GTVA262711FA是一款300瓦(P3dB)的碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)D模式高电子迁移率晶体管(HEMT)放大器,适用于多标准蜂窝功率放大器应用。它具有输入匹配、高效率以及带无耳法兰的热增强型封装等特点。

• 碳化硅基氮化镓(GaN on SiC)高电子迁移率晶体管(HEMT)技术
• 输入匹配
• 典型脉冲连续波(CW)性能:脉冲宽度10 μs,占空比10%,频率2690 MHz,电压48 V
• P3dB输出功率 = 300 W
• 效率 = 62%
• 增益 = 19.1 dB
• 人体模型1B类(符合ANSI/ESDA/JEDEC JS - 001标准)
• 在48 V、70 W(连续波)输出功率下可承受10:1的电压驻波比(VSWR)
• 无铅且符合RoHS标准