商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 150V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.2A | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.3V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 7.4pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.15pF | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 输出电容(Coss) | 2pF |
商品概述
CGHV40030是一款无匹配的氮化镓（GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT），专为实现高效率、高增益和宽带宽能力而设计。该器件可用于L、S和C波段放大器应用。CGHV40030在50伏轨电路上工作，采用2引脚法兰或药丸封装。
商品特性
- 高达6 GHz的工作频率
- 典型输出功率30 W
- 增益16 dB
- 在饱和功率(P\textSAT)下效率达70%
- 50 V工作电压