- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
EDF8164A3PK-JD-F-R
8Gb、16Gb:216球、双通道嵌入式LPDDR3 SDRAM
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- 品牌名称
- micron(镁光)
- 商品型号
- EDF8164A3PK-JD-F-R
- 商品编号
- C20440064
- 商品封装
- 216-FBGA (12x12)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 同步动态随机存取内存(SDRAM) | |
| 存储容量 | 8Gbit | |
| 时钟频率(fc) | 933MHz | |
| 工作电压 | 1.14V~1.95V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 自动预充电；自动刷新；高速时钟同步 | |
| 工作温度 | -30℃~+85℃ | |
| 工作电流 | - | |
| 刷新电流 | 1.6mA |
商品特性
- 超低电压核心与输入/输出电源
- 频率范围：800/933兆赫兹（数据速率：1600/1866兆比特每秒每引脚）
- 8n预取双倍数据速率架构
- 8个内部存储体用于并发操作
- 多路复用、双倍数据速率命令/地址输入；命令在每个时钟正沿/负沿输入
- 每个数据字节对应双向/差分数据选通
- 可编程读取与写入延迟
- 突发长度：8
- 每个存储体独立刷新以支持并发操作
- 通过内置温度传感器实现自动温度补偿自刷新
- 部分阵列自刷新
- 深度掉电模式
- 可选输出驱动强度
- 时钟停止能力
- 无铅（符合RoHS）且无卤素封装
- 电源电压：1.8伏/1.2伏/1.2伏/1.2伏
- 阵列配置：128兆×64位（双裸片封装），256兆×64位（四裸片封装）
- 封装：12毫米×12毫米，216球层叠封装精细间距球栅阵列
- 工作温度范围：-30℃至+85℃
- MT42L128M32D1LH-25 WT:A
- MT42L128M64D2LL-25 IT:A
- MT42L128M32D1LH-25 WT:A TR
- MT42L256M64D4LM-18 WT:A
- MT52L256M64D2LZ-107 WT:B TR
- EDB8164B4PT-1DAT-F-R
- EDB8164B4PR-1D-F-D
- MT42L256M32D2LK-18 WT:A
- MT42L128M64D2LL-25 WT:A
- MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR
- MT48LC4M32B2P-6A AIT:L
- MT48LC2M32B2TG-55:G TR
- MT48LC8M32B2P-7
- MT48LC2M32B2P-5:G TR
- MT48LC8M32B2TG-6 TR
- MT48LC2M32B2P-7:G TR
- MT48LC2M32B2P-6:G TR
- MT48LC2M32B2P-55:G TR
- MT48LC8M32B2TG-7 IT
- MT40A1G16KNR-075 IT:E TR
- MT48LC4M32B2P-7:G
- ACC00E22-20SW-003-LC
- RK809-5A
- 3430A3F3K0TDF
- GTC02R22-7S-RDS-LC
- FCQ38999/26MD97SCMIL-STD-461
- FCQ38999/26JJ35HAMIL-STD-461
- GTC030-24-71S-025-B30-LC
- A/AN-R2S-A16-C6
- C3M0040120J1-MVF
- FCQ38999/20JG75SEMIL-STD-461
- FCQ38999/26LD97SAMIL-STD-461
- A/CP-RSO-A08-A1
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- 6600383-7
- 5-1879130-9
- 3430A3F470RTDF
- ACC03E16S-5PW-003-B30-LC
- GTC06CF28-75SY-025-LC
- ACC08CF32-16P-003-LC
- 3430A3F27RTDF
- GTC00CFZ28-11SY-LC