MT42L256M64D4LM-25 WT:A TR

4Gb X16/X32 移动型 LPDDR2 SDRAM

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商品参数

超低电压内核和输入/输出电源供应：VDD2 = 1.14 - 1.30V，VDDCA / VDDQ = 1.14 - 1.30V，VDD1 = 1.70 - 1.95V
时钟频率范围：533 - 10MHz（数据速率范围：1066 - 20 Mb/s/引脚）
四比特预取双倍数据速率架构
八个内部存储体用于并发操作
多路复用的双倍数据速率命令/地址输入；命令在每个时钟边沿输入
每个字节数据对应一个双向/差分数据选通
可编程的读取和写入延迟
可编程的突发长度：4、8或16
每个存储体独立刷新以支持并发操作
片上温度传感器用于控制自刷新速率
部分阵列自刷新
深度掉电模式
可选的输出驱动强度
时钟停止功能
符合RoHS标准的绿色封装