MT48LC8M32B2TG-6 TR

256Mb x32同步动态随机存取存储器

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品牌名称: micron(镁光)
商品型号: MT48LC8M32B2TG-6 TR
商品编号: C20443130
商品封装: 86-TSOP II
包装方式: 袋装
商品毛重: 1克(g)

商品参数

	属性	参数值
	商品目录	同步动态随机存取内存(SDRAM)
	存储容量	256Mbit
	时钟频率(fc)	166MHz

	属性	参数值
	工作电压	3V~3.6V
	功能特性	自动预充电；自动刷新；高速时钟同步；自动列地址生成
	工作温度	0℃~+70℃

商品概述

256Mb SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取存储器，包含268,435,456位。它内部配置为具有同步接口的四体DRAM（所有信号在时钟信号CLK的上升沿寄存）。每个67,108,864位的存储体被组织为4,096行×512列×32位。对SDRAM的读写访问是突发式的；访问从选定位置开始，并按照编程的顺序在编程的位置数量上继续。访问从ACTIVE命令的寄存开始，随后是READ或WRITE命令。与ACTIVE命令同时寄存的地址位用于选择要访问的存储体和行（BA0、BA1选择存储体，A0 - A11选择行）。与READ或WRITE命令同时寄存的地址位用于选择突发访问的起始列位置。SDRAM提供可编程的READ或WRITE突发长度，为1、2、4或8个位置，或整页，并具有突发终止选项。可以启用自动预充电功能，以提供在突发序列结束时启动的自定时行预充电。256Mb SDRAM使用内部流水线架构来实现高速操作。该架构与预取架构的2n规则兼容，但它还允许在每个时钟周期更改列地址，以实现高速、完全随机访问。

商品特性

具备PC100功能
完全同步；所有信号在系统时钟的上升沿寄存
内部流水线操作；列地址可以在每个时钟周期更改
内部存储体用于隐藏行访问/预充电
可编程突发长度：1、2、4、8或整页
自动预充电，包括并发自动预充电和自动刷新模式
自刷新模式
64ms，4,096周期刷新（15.6μs/行）
LVTTL兼容的输入和输出
单+3.3V ± 0.3V电源供电
支持CAS延迟为1、2和3

数据手册PDF

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