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IRFZ14PBF-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:20A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于电源开关模块、电动工具和家用电器、汽车电子系统等领域。TO220；N—Channel沟道,60V；20A；RDS(ON)=72mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=1~3V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFZ14PBF-VB
- 商品编号
- C20417494
- 商品封装
- TO-220AB
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.8克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 20A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 72mΩ@10V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 60W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 3V@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 25nC@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 |
商品特性
- 沟槽式场效应晶体管（TrenchFET）功率MOSFET
- 100%进行栅极电阻（Rg）测试
- 100%进行非钳位感应开关（UIS）测试
- 符合欧盟RoHS指令2002/95/EC
应用领域
- 笔记本电脑系统电源
- 低电流直流-直流（DC/DC）转换