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UTT60N06L-TN3-R-VB
1个N沟道 耐压:60V 电流:97A
- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N沟道场效应晶体管，采用Trench工艺，适用于需要中等功率、中等电流的电子系统，如电源管理、LED驱动和工业控制等领域的模块中。TO252；N—Channel沟道,60V；97A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- UTT60N06L-TN3-R-VB
- 商品编号
- C20417495
- 商品封装
- TO-252
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.44克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 60V | |
| 连续漏极电流(Id) | 97A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5mΩ@10V；12mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 136W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 82nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 4.844nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 200pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 441pF |
交货周期
订货9-11个工作日购买数量
(1个/圆盘，最小起订量 1 个)个
起订量：1 个1个/圆盘
总价金额：
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