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IRFS3107PBF-VB
1个N沟道 耐压:80V 电流:215A
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- 描述
- 台积电流片，长电科技封装；是一款单通道N型MOSFET器件，采用Trench工艺，适用于高功率、高压的应用环境。它可广泛应用于各种功率电子系统中。TO263；N—Channel沟道,80V；215A；RDS(ON)=5mΩ@VGS=10V,VGS=20V；Vth=2~4V；
- 品牌名称
- VBsemi(微碧半导体)
- 商品型号
- IRFS3107PBF-VB
- 商品编号
- C20417497
- 商品封装
- TO-263(D2PAK)
- 包装方式
- 管装
- 商品毛重
- 3.4克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 80V | |
| 连续漏极电流(Id) | 215A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 9.5mΩ@7.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 375W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 4V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 94nC@10V | |
| 输入电容(Ciss) | 7.91nF | |
| 反向传输电容(Crss) | 348pF | |
| 工作温度 | -55℃~+175℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.25nF |
商品特性
- 沟槽功率MOSFET
- 最高结温175 °C
- 极低的栅漏电荷(Qgd)可降低穿越平台电压(Vplateau)时的功率损耗
- 100%进行栅极电阻(Rg)和非钳位感性开关(UIS)测试
- 符合RoHS标准
- 无卤
应用领域
- 电源
- 次级同步整流
- DC/DC转换器
- 电动工具
- 电机驱动开关
- DC/AC逆变器
- 电池管理