RA81F5288STGBX#KC0
RA81F5288STGBX#KC0
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- RA81F5288STGBX#KC0
- 商品编号
- C20353789
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
F5268是一款8通道半双工收发器(TRX)硅集成电路(IC),采用SiGe BiCMOS工艺设计,适用于n258频段的双极化5G相控阵应用。该核心IC在每个通道上具备高度灵活的增益和相位控制功能,可实现精确的波束控制以及辐射通道间的增益补偿。 F5268包含标准SPI协议,最高工作频率可达95MHz,支持快速波束切换和快速波束状态加载。通过专用地址引脚,同一SPI总线上最多可支持16个器件。每个器件使用2.5V模拟电源和2.5V - 3.3V可编程功率放大器(PA)电源,以提供发射(TX)功率模式。数字核心和SPI使用片上低压差线性稳压器(LDO)产生的1.8V电源。
商品特性
- 24.25GHz – 27.5GHz工作频率(5G NR n258)
- 8个辐射通道
- 典型TX/RX模式切换时间为100ns
- 典型增益和相位稳定时间为20ns
- 典型TX/RX均方根(RMS)相位误差为1.2°/1.7°
- 典型TX/RX均方根(RMS)增益阶跃误差为0.18dB/0.13dB
- 30.5dB增益衰减范围
- 集成比例温度系数(PTAT)、PTAT2和带隙基准发生器
- 内置温度传感器和功率检测器
- 4位芯片地址(硬连线/可编程)
- 最高95MHz的SPI控制
- 2048个片上可编程波束状态
- 模拟电源电压:+2.4V至+2.6V
- 专用PA电源电压:可在+2.4V至+2.6V和+3.0V至+3.3V之间选择
- 5.1 × 5.1 × 0.8 mm,118-FCCSP封装
- 工作温度范围:-40℃至+95℃
应用领域
- 5G单/双极化相控阵天线系统
- 波束控制
- 类似应用
其他推荐
- RAA210030GLG#HD0
- RAA211250GNP#HA0
- RAA211450GSP#HA0
- RAA211630GNP#HA0
- RAA211820GNP#HA0
- RAA211820GSP#HA0
- RAA211835GNP#HA0
- RAA211835GSP#HA0
- RAA2128324GSP#HA0
- RAA2213504GNP#HB0
- RAA2214904GNP#HB0
- RAA2214914GNP#HB0
- RAA2230104GSP#HA1
- RAA2260544GNP#HA0
- RAA228000GNP#AA0
- RAA228000GNP#HA0
- RAA228000GNP#MA0
- RAA228004GNP#AA0
- RAA228004GNP#HA0
- RAA228004GNP#MA0
- RAA228006GNP#AA0
