IW676-32
IW676-32
SMT扩展库SMT补贴嘉立创PCB免费打样
- 品牌名称
- RENESAS(瑞萨)/IDT
- 商品型号
- IW676-32
- 商品编号
- C2072018
- 商品封装
- SOT-23-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.001克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
iW676是一款先进的同步整流(SR)控制器,集成了用于非连续模式反激变换器的MOSFET驱动器。该器件与外部功率MOSFET配合使用,取代反激变换器次级侧的主整流二极管,通过减少次级侧的导通损耗来提高效率。iW676通过监测同步MOSFET上的电压来确定何时切换FET,采用无损感应进一步提高了效率。Dialog的数字自适应关断控制技术最小化了关断死区时间,消除了传统同步整流器中通常需要与同步MOSFET并联的额外肖特基二极管的需求。
iW676能够在所有条件下工作在高达25V和低至3V的输出电压下,以适应各种电源。它可以检测高达100V的漏极电压,在多级输出电压应用中(最高达12V)无需外部箝位电路。独特的内部调节电路使iW676能够在电源输出端非常低的电压下工作,优化了设备在低至亚3V水平的直接充电应用中的性能。
iW676-3X/3XC集成了Dialog独特的主动电压定位(AVP)控制,可实现快速动态负载响应和非常低的空载功耗(非快速充电应用),而不会增加封装尺寸或引脚数量。
商品特性
- 支持多级输出电压和电流应用,系统输出电压范围为3V至25V
- 集成脉冲线性调节器(PLR)可在所有负载条件下实现低至3V的高效SR操作,并在恒流(CC)模式下实现低至2.4V的操作
- 支持低至亚3V级别的直接充电
- V_IN引脚工作电压范围宽,最高可达25V
- 高压漏极检测高达100V,无需额外外部箝位电路
- 6引脚SOT23封装
- 数字自适应关断控制可最小化死区时间并消除并联肖特基二极管
- 无损耗MOSFET V_DS检测用于SR时序控制
- 优化的5V MOSFET栅极驱动
- 智能低功耗管理实现超低空载工作电流
- 内置主动电压定位(AVP),无需额外引脚或外部元件即可提供快速系统输出电压瞬态检测(iw676-3X/3XC选项)
其他推荐
- LM3679UR-1.2/NOPB
- TPS62366AYZHT
- TPS62410DRCT
- BU34DV7NUX-GE2
- ISL9104AIRUNZ-T7A
- TPS565208DDCT
- TPS60150DRVT
- TLV62090RGTT
- TPS565201DDCT
- S-8351A35MC-J2UT2U
- S-8351A32MC-J2RT2U
- TPS62823DLCT
- TPS62081DSGT
- S-8351A27MC-J2MT2U
- S-8351A28MC-J2NT2U
- S-8351A26MC-J2LT2U
- S-8351A25MC-J2KT2U
- S-8351A20MC-J2FT2U
- S-8351A22MC-J2HT2U
- LTC3309AMPV#TRMPBF
- TPS62806YKAR
