AFBR-S4N44P044M
AFBR-S4N44P044M
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- 品牌名称
- Broadcom(博通)
- 商品型号
- AFBR-S4N44P044M
- 商品编号
- C20276857
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
参数完善中
商品概述
博通AFBR - S4N44P044M是一个2×2硅光电倍增管(SiPM)阵列,用于单光子的超灵敏精确测量。该SiPM基于NUV - MT技术,与NUV - HD技术相比,该技术结合了更高的光电探测效率(PDE)、更低的暗计数率和更低的串扰。SiPM在两个方向上的间距均为4mm。通过拼接多个AFBR - S4N44P044M阵列,可覆盖更大面积,间距为8.3mm,且几乎没有边缘损耗。为实现良好的机械稳定性和坚固性,采用环氧透明模塑料进行封装,该材料对紫外线波长具有高透明度,从而在可见光光谱中具有广泛响应,对光谱中的蓝色和近紫外区域具有高灵敏度。该阵列最适合检测低水平脉冲光源,尤其适用于检测最常见的有机(塑料)和无机闪烁体材料(例如LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr₃等)发出的切伦科夫光或闪烁光。该产品无铅且符合RoHS标准。
商品特性
- 2×2 SiPM阵列
- 阵列尺寸:8.26mm×8.26mm
- 在420nm⊥处具有63%的高PDE
- 出色的单光子时间分辨率(SPTR)和串扰分辨率(CRT)
- 击穿电压均匀性极佳
- 增益均匀性极佳
- 四边可拼接,填充因子高
- 单元间距:40μm
- 高度透明的环氧保护层
- 工作温度范围:-20°C ~ +50°C
- 符合RoHS、CFM和REACH标准
应用领域
X射线和伽马射线检测、核医学、正电子发射断层扫描、安全与安保、物理实验、切伦科夫光检测
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