AFBR-S4N66P014M

博通AFBR - S4N66P014M是单通道硅光电倍增管（SiPM），用于单光子的超灵敏精确测量。该SiPM基于NUV - MT技术，与NUV - HD技术相比，结合了更高的光探测效率（PDE）、更低的暗计数率和更低的串扰。单光子雪崩二极管（SPAD）间距为40μm。 通过拼接多个AFBR - S4N66P014M SiPM可覆盖更大区域。采用环氧透明模塑料封装，具有良好的机械稳定性和坚固性，该封装材料对紫外线波长具有高透明度，在可见光光谱中具有广泛响应，对光谱中的蓝色和近紫外线区域具有高灵敏度。该SiPM最适合检测低水平脉冲光源，尤其适用于检测最常见的有机（塑料）和无机闪烁体材料（例如，LSO、LYSO、BGO、NaI、CsI、BaF、LaBr₃等）发出的切伦科夫光或闪烁光。本产品无铅且符合RoHS标准。

• 420nm波长处具有63%的高光探测效率（PDE）
• 四边可拼接，具有高填充因子
• 单元间距：40μm
• 高透明环氧保护层
• 工作温度范围：-20°C ~ +60°C
• 出色的单光子时间分辨率（SPTR）和串扰分辨率（CRT）
• 器件间击穿电压和增益具有出色的均匀性
• 符合RoHS、CFM和REACH标准

• X射线和伽马射线检测
• 核医学
• 正电子发射断层扫描
• 安全与保障
• 物理实验
• 切伦科夫光检测