ART150PEGXY
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 208V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.5V@111mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 116pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 0.88pF | |
| 输出电容(Coss) | 35pF |
商品概述
这款150 W LDMOS射频晶体管基于先进耐用技术（ART）设计，适用于工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛应用领域。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至650 MHz。
商品特性
- 高击穿电压可支持E类工作模式，漏源电压（VDS）最高可达53 V
- 经测试，漏源电压（VDS）最高可达65 V
- 在30 V至65 V电压范围内进行特性表征，以支持广泛的应用
- 集成双面静电放电（ESD）保护功能，支持C类工作模式，并可使晶体管完全关断
- 具有出色的耐用性，无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作而设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像（MRI）系统
- 除霜设备
- 广播
- 调频（FM）广播
- 甚高频（VHF）电视
- 雷达
- 非蜂窝通信
- 超高频（UHF）雷达
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