商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 200V | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V@550mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 输入电容(Ciss) | 598pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.88pF | |
| 输出电容(Coss) | 179pF |
商品概述
这款800 W LDMOS射频功率晶体管基于先进耐用技术（ART）设计，适用于工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛领域。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至650 MHz。
商品特性
- 高击穿电压，支持在VDS = 53 V条件下进行E类操作
- 最高可承受VDS = 65 V
- 在30 V至65 V电压范围内进行特性表征，以支持广泛应用
- 集成双面ESD保护，支持C类操作并可完全关断晶体管
- 具有出色的耐用性，无器件性能退化问题
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带操作设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像（MRI）系统
- 粒子加速器
- 广播
- 调频（FM）广播
- 甚高频（VHF）电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频（UHF）雷达
相似推荐
其他推荐
- ART2K0TFESJ
- ART450FEU
- ART800PEGY
- ART800PEY
- B10G2327N55DZ
- B10G4750N12DLZ
- B11G1822N60DX
- B11G2327N71DX
- B11G2327N71DYZ
- B11G3338N81DX
- B11G3338N81DYZ
- B11G3742N81DYZ
- BLA9H0912LS-1200PGJ
- BLC10G15XS-301AVTY
- BLC10G15XS-301AVTYZ
- BLC10G16XS-600AVTZ
- BLC10G18XS-301AVTY
- BLC10G18XS-301AVTYZ
- BLC10G18XS-400AVTY
- BLC10G18XS-551AVTY
- BLC10G18XS-551AVY