商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | - | |
| 连续漏极电流(Id) | - | |
| 导通电阻(RDS(on)) | - | |
| 耗散功率(Pd) | - |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 2.6V | |
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | - | |
| 反向传输电容(Crss) | - | |
| 工作温度 | - | |
| 配置 | - |
商品概述
这款800 W LDMOS射频功率晶体管基于先进耐用技术（ART）设计，适用于工业、科学和医疗（ISM）、广播和通信等广泛领域。该非匹配晶体管的频率范围为1 MHz至650 MHz。
商品特性
- 高击穿电压支持E类工作模式,最高可达VDS = 53 V
- 经测试可承受最高VDS = 65 V
- 在30 V至65 V范围内进行特性表征,以支持广泛的应用
- 集成热传感器
- 集成双面ESD保护,支持C类工作模式并可完全关断晶体管
- 出色的耐用性,无器件性能退化
- 高效率
- 出色的热稳定性
- 专为宽带工作而设计
应用领域
- 工业、科学和医疗应用
- 等离子发生器
- 磁共振成像(MRI)系统
- 二氧化碳(CO2)激光器
- 粒子加速器
- 广播
- 调频(FM)广播
- 甚高频(VHF)电视
- 通信
- 非蜂窝通信
- 超高频(UHF)雷达
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