M40SZ100WMQ6F

M40SZ100W NVRAM控制器是一款独立设备，可将标准低功耗SRAM转换为非易失性存储器。其内置精密电压基准和比较器，用于监控V_CC输入是否超出公差范围。当VCC出现无效情况时，经调节的芯片使能输出（E_CON）会被强制为无效状态，以写保护SRAM中存储的数据。在电源故障期间，SRAM会从V_CC引脚切换到外部电池，以提供数据保持所需的能量。在后续上电时，SRAM会保持写保护状态，直到电源条件恢复正常。M40SZ100W可控制一个（若并联放置则为两个）标准低功耗SRAM，该SRAM需配置为芯片使能输入可禁用所有其他输入信号。正常工作条件下，经调节的芯片使能（E_CON）输出引脚跟随芯片使能（E）输入引脚，内部开关将V_CC连接到V_OUT，电压降小于0.3V（IOUT1）。电源故障导致V_CC下降时，E_CON会独立于E被强制为无效状态，在V_CC低于V_PFD时写保护SRAM。若芯片使能访问在掉电检测期间进行，内存周期会完成后再写保护；若未在t_WPT内终止，E_CON会被强制为高电平。写周期期间的电源故障可能损坏当前地址数据，但不影响其余内容。在V_PFD（最小值）以下，若V_CC下降时间不超过tF，内存会在t_WPT内写保护。V_CC进一步下降时，内部开关会在V_SO处断开V_CC并连接内部电池到V_OUT，电池提供V_OHB电压和I_OUT2电流。V_CC上升至V_SO以上时，V_OUT切换回电源电压，E_CON在电源达V_PFD后保持无效最长120ms以允许处理器稳定。

• 将低功耗SRAM转换为NVRAM
• 3V工作电压
• 精密电源监控和电源切换电路
• V_CC超出公差范围时自动写保护
• 可选电源电压和掉电取消选择电压：V_CC=2.7至3.6V；2.55V ≤V_PFD ≤2.70V
• 用于上电复位的复位输出（RST）
• 1.25V参考电压（适用于PFI/PFO）
• 芯片使能访问传播延迟小于15ns
• 电池低电量引脚（BL）
• 符合RoHS标准——无铅二级互连