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M24256-DRMF3TG/K

支持1 MHz时钟的汽车级256 Kbit串行I2C总线EEPROM

描述: 汽车级256 Kbit串行I2C总线EEPROM
品牌名称: ST(意法半导体)
商品型号: M24256-DRMF3TG/K
商品编号: C2063575
商品封装: DFN-8-EP(2x3)
包装方式: 编带
商品毛重: 0.5克(g)

商品参数

	属性	参数值
	功能特性	内置上电复位(POR)；硬件写保护功能；噪声抑制功能；内置错误纠正码(ECC)功能
	工作电压	1.7V~5.5V
	工作温度	-40℃~+125℃
	工作电流	2mA
	待机电流	20uA
	读取访问时间(tA)	450ns；900ns

商品概述

M24256-A125是一款256-Kbit串行EEPROM汽车级器件，工作温度最高可达125℃。该器件符合汽车标准AEC-Q100等级1所定义的高可靠性要求，可通过最高1MHz的简单串行I²C兼容接口访问。存储阵列基于先进的真EEPROM技术（电可擦除可编程存储器），为字节可修改存储器（32K×8位），组织为512页，每页64字节，并内置纠错码逻辑以显著提升数据完整性。此外，该器件提供额外的64字节识别页，可读取ST器件标识，也可用于存储敏感应用参数，这些参数之后可永久锁定为只读模式。

商品特性

兼容所有I²C总线模式（1MHz、400kHz、100kHz）
存储阵列：256 Kbit（32 Kbyte）EEPROM，页大小64字节，额外提供可写锁定的识别页
扩展温度和电压范围：-40℃至125℃；1.7V至5.5V
施密特触发器输入，用于噪声滤波
短写入周期时间：字节写入在4ms内完成，页写入在4ms内完成
写入周期耐久性：25℃下400万次，85℃下120万次，125℃下60万次
数据保留时间：125℃下50年，25℃下100年
ESD保护（人体模型）：4000V
封装类型：TSSOP8（DW）宽度169 mil、SO8（MN）宽度150 mil、WFDFPN8（MF）尺寸2×3mm
封装符合RoHS标准且无卤素（ECOPACK2®）

应用领域

汽车应用领域（符合AEC-Q100等级1标准）

数据手册PDF

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	属性	参数值
	商品目录	EEPROM
	接口类型	I2C
	存储容量	256Kbit
	时钟频率(fc)	1MHz
	写周期时间(Tw)	4ms
	数据保留 - TDR(年)	100年
	写周期寿命	400万次