M34F04-WMN6TP

M34F04是一款电可擦可编程存储器（EEPROM），组织形式为512×8。存储器阵列的上半部分（1FFh至100h）可通过将WC引脚驱动为高电平来防止意外写入操作。该器件兼容I²C存储器协议，这是一种使用双向数据总线和串行时钟的双线串行接口。器件内置符合I²C总线定义的4位器件类型标识符代码（1010）。在I²C协议中，器件作为从设备运行，所有存储器操作由串行时钟同步。读和写操作由总线主设备生成的起始条件启动，随后是器件选择代码和RW位，以确认位结束。向存储器写入数据时，器件在总线主设备8位传输后的第9位时间插入确认位。当总线主设备读取数据时，主设备以相同方式确认数据字节的接收。数据传输在写入操作的确认后或读取操作的无确认后由停止条件终止。

• 串行时钟（SCL）：输入信号，用于选通所有进出器件的数据。若从设备使用该信号将总线同步到较慢时钟，主设备需具有开漏输出，且可将上拉电阻从串行时钟（SCL）连接到Vcc；若不使用此同步方式，且主设备具有推挽输出，则无需上拉电阻。
• 串行数据（SDA）：双向信号，用于传输进出器件的数据。为开漏输出，可与总线上其他开漏或集电极开路信号线或。必须将上拉电阻从串行数据（SDA）连接到Vcc。
• 芯片使能（E1、E2）：输入信号，用于设置7位器件选择代码的三个最低有效位（b3、b2）的值。这些输入必须连接到Vcc或Vss以确定器件选择代码。
• 写入控制（WC）：用于防止存储器的一半区域被意外写入。当写入控制（WC）被驱动为高电平时，存储器阵列的上半部分（1FFh至100h）的写入操作被禁用。未连接时，信号内部读取为Vil，允许写入操作。当WC为高电平且尝试写入存储器上半部分时，器件选择和地址字节会被确认，但数据字节不会被确认。
• 工作电源电压（Vcc）：在选择存储器并向其发出指令之前，必须施加有效且稳定的直流电压，该电压必须在指定的[Vcc(min)，Vcc(max)]范围内。该电压必须保持稳定有效，直到指令传输结束；对于写入指令，需保持到内部写入周期完成。