M93C76-RDW6TP
8Kbit 串行访问 EEPROM,支持 MICROWIRE 协议,1.8V至5.5V供电
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- 描述
- M93C76-x 是 8Kbit 串行访问 EEPROM,支持 MICROWIRE 协议。该设备可以配置为字节 (x8) 或字 (x16) 组织。工作电压为 1.8V 至 5.5V,时钟频率为 1MHz,支持超过 400 万次写周期寿命,数据保留时间超过 200 年。
- 品牌名称
- ST(意法半导体)
- 商品型号
- M93C76-RDW6TP
- 商品编号
- C2063549
- 商品封装
- TSSOP-8
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.147克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | EEPROM | |
| 接口类型 | SPI | |
| 存储容量 | 8Kbit | |
| 时钟频率(fc) | 2MHz | |
| 写周期时间(Tw) | 5ms | |
| 数据保留 - TDR(年) | 200年 | |
| 写周期寿命 | 400万次 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功能特性 | 内置上电复位(POR);噪声抑制功能 | |
| 工作电压 | 1.8V~5.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 工作电流 | 2mA | |
| 待机电流 | 1uA | |
| 读取访问时间(tA) | - |
商品概述
M93C46(1 Kbit)、M93C56(2 Kbit)、M93C66(4 Kbit)、M93C76(8 Kbit)和M93C86(16 Kbit)是通过MICROWIRE™总线协议访问的电可擦可编程存储器(EEPROM)器件。存储阵列可配置为字节(x8b)或字(x16b)模式。M93Cx6-W器件的工作电压范围为2.5 V至5.5 V,M93Cx6-R器件的工作电压范围为1.8 V至5.5 V。所有这些器件的时钟频率为2 MHz(或更低),工作环境温度范围为-40°C至+85°C。
商品特性
- 采用行业标准的MICROWIRE™总线
- 单电源电压:M93Cx6-W为2.5 V至5.5 V;M93Cx6-R为1.8 V至5.5 V
- 双组织模式:按字(x16)或字节(x8)
- 支持对字节、字或整个存储器进行操作的编程指令
- 带自动擦除的自定时编程周期:5 ms
- 编程期间提供READY/BUSY信号
- 时钟速率为2 MHz
- 支持顺序读取操作
- 增强的ESD/闩锁性能
- 写入周期超过400万次
- 数据保持时间超过200年
- 提供SO8、TSSOP8、UFDFPN8(ECOPACK2®)和PDIP8(ECOPACK1®)封装形式
- M24256-DRMF3TG/K
- 71V424L10PHG8
- IS42SM16400M-75BLI-TR
- IS61WV12816BLL-12TLI-TR
- IS25LP016D-JULE-TR
- AS7C32098A-10TCNTR
- AS7C32096A-15TCNTR
- IS66WVH16M8BLL-100B1LI-TR
- AS7C32096A-12TINTR
- IS66WVH16M8ALL-166B1LI-TR
- AS7C34096A-12JCNTR
- AS7C34098A-8TINTR
- AS7C32096A-15TINTR
- IS62WV1288FBLL-45TLI-TR
- IS25LP256D-RHLE-TR
- MT25QL256ABA8ESF-0AAT
- AS7C34098A-12JINTR
- IS62WV12816EBLL-45TLI-TR
- AS4C4M16SA-6BANTR
- IS61WV1288EEBLL-10TLI-TR
- AS7C34098A-12JCNTR


