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TLE2071AQDRQ1

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描述: TLE2071A-Q1 汽车级、单路、38V、10MHz、40V/μs 压摆率、2mV 失调电压、JFET 输入运算放大器
品牌名称: TI(德州仪器)
商品型号: TLE2071AQDRQ1
商品编号: C2059102
商品封装: SOIC-8
包装方式: 编带
商品毛重: 0.175克(g)

商品参数

商品概述

TLE207x系列JFET输入运算放大器的带宽是TL07x和TL08x系列BiFET运算放大器的两倍多，压摆率是其三倍多。典型本底噪声为11.6nV/√Hz，最大本底噪声保证为17nV/√Hz，相比使用TL07x设计的噪声敏感电路有显著改善。TLE207x的电源电压轨更宽，使BiFET电路的动态信号范围增加到±19V。片上齐纳微调失调电压可实现精密等级，提高直流耦合应用的精度。TLE207x与性能较低的BiFET运算放大器引脚兼容，便于在现有设计中提升性能。 BiFET运算放大器具有JFET输入晶体管固有的高输入阻抗，同时不牺牲双极放大器的输出驱动能力。这使其更适合与高阻抗传感器或极低电平交流信号接口。与功耗相当的双极或CMOS器件相比，它们还具有更好的交流响应。 TLE207x系列BiFET放大器是高性能BiFET，具有更严格的输入失调电压和保证的最大噪声规格。

商品特性

带宽（10 MHz）比TL07x大两倍以上，压摆率（45 V/μs）比TL07x大三倍以上
保证最大本底噪声为17 nV/√Hz
片上调零失调电压，改善直流性能
更宽的电源轨将动态信号范围增加到±19 V

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	属性	参数值
	商品目录	FET输入运放
	放大器数	-
	增益带宽积(GBP)	10MHz
	输入偏置电流(Ib)	5nA
	输入失调电压(Vos)	340uV
	共模抑制比(CMRR)	80dB

	属性	参数值
	压摆率(SR)	45V/us
	静态电流(Iq)	1.6mA
	轨到轨	-
	输入失调电压温漂(Vos TC)	3.2uV/℃
	输出电流	-
	工作温度	-