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TC75S63TU,LF实物图
  • TC75S63TU,LF商品缩略图

温馨提醒:图片仅供参考,商品以实物为准

TC75S63TU,LF

TC75S63TU,LF

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描述
特性:低噪声:VNI = 7.8 nV/Hz(典型值)@VDD = 3.3 V。 小相位延迟:-2.5 度 @VDD = 3.3 V(典型值),f = 2 kHz。 低电流供应:500 μA @VDD = 3.3 V(典型值)。 超紧凑型封装
品牌名称
TOSHIBA(东芝)
商品型号
TC75S63TU,LF
商品编号
C2058745
商品封装
SON-5(1.7x2)​
包装方式
编带
商品毛重
0.001克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录运算放大器
放大器数单路
最大电源宽度(Vdd-Vss)5.5V
轨到轨-
增益带宽积(GBP)3.5MHz
输入失调电压(Vos)1mV
压摆率(SR)1V/us
输入偏置电流(Ib)1pA
属性参数值
输入失调电流(Ios)1pA
噪声密度(eN)7.8nV/√Hz@1kHz
共模抑制比(CMRR)80dB
输入失调电流温漂(Ios TC)-
静态电流(Iq)500uA
输出电流1.5mA
工作温度-40℃~+85℃
单电源2.2V~5.5V
安装类型表面贴装型
放大器类型CMOS
电流-供电500?A
电流-输出/通道4mA
压摆率1V/?s
电流-输入偏置1pA
电压-输入补偿1mV
输出类型-
封装/外壳6-SMD(5引线),扁引线
工作温度-40°C ~ 85°C
电压-供电,单/双?(±)2.2V ~ 5.5V
供应商器件封装UFV
电路数1
增益带宽积3.5MHz

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