- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SC5585E3TL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 500mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 12V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | 680 |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 320MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 90mV | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V | |
| 数量 | 1个NPN |
商品特性
- 高电流
- 低VCE(sat)
- 在IC = 200 mA / IB = 10 mA时，VCE(sat) ≤ 250 mV
应用领域
- 低频放大器
- 驱动器