- 引脚图
- 焊盘图
温馨提醒：图片仅供参考，商品以实物为准
2SCR502E3TL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | - | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW | |
| 直流电流增益(hFE) | - | |
| 特征频率(fT) | 360MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 200nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | - | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | - | |
| 数量 | - | |
| 配置 | - |
商品特性
- 通用型。
- 互补 PNP 类型：2SAR502E3、2SAR502U3
- 集电极电流大。
- 低 VCE(sat)。
应用领域
- 低频放大器