2SCR502E3TL
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 360MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 200nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |
商品特性
- 通用型。
- 互补 PNP 类型：2SAR502E3、2SAR502U3
- 集电极电流大。
- 低 VCE(sat)。
应用领域
- 低频放大器
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| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 1A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 30V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 360MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 200nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV |