2SD2654E3TLV
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 集电极电流(Ic) | 150mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V | |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 300nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV@50mA,5mA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 12V |
商品特性
- 高直流电流增益。
- 高发射极 - 基极电压。（VCBO = 12V）
- 低饱和电压。（在IC / IB = 50 / 5 mA时，最大VCE(sat) = 300 mV）
应用领域
- 低频放大器、驱动器