KFC4B22670L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 6.1A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 100mΩ@2.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.9W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.4V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 4.5nC@4V | |
| 类型 | N沟道 |
商品概述
内置栅极电阻的双N沟道MOSFET 用于锂离子二次电池保护电路
商品特性
- 源极-源极导通电阻:Rss(on) 典型值 = 38 mΩ(VGS = 3.7 V)
- CSP(芯片级封装)
- 无卤 / 符合RoHS标准(欧盟RoHS / UL-94 V-0 / MSL:1级)