KFJ4B01100L
KFJ4B01100L
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- 品牌名称
- NUVOTON(新唐)
- 商品型号
- KFJ4B01100L
- 商品编号
- C20106335
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.6A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 153mΩ@4.5V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 1.1W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
120P03是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。 120P03符合RoHS和绿色产品要求，100%经过耐雪崩能力（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。
商品特性
- 漏源导通电阻:Rds(on) 典型值 = 141 mΩ(VGS = -2.5 V)
- CSP(芯片级封装)
- 符合RoHS标准(欧盟RoHS / MSL:1级合规)
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