KFJ4B01120L
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 漏源电压(Vdss) | 12V | |
| 连续漏极电流(Id) | 5.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 61mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V | |
| 栅极电荷量(Qg) | 46nC@4.5V | |
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
单P沟道MOSFET
商品特性
- 漏源导通电阻:RDS(on) 典型值 = 40 mΩ(VGS = -2.5 V)
- CSP(芯片尺寸封装)
- 无卤/符合RoHS标准(欧盟RoHS/UL-94 V-0/湿度敏感度等级:1级)