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WPM2015-3/TR
1个P沟道 耐压:20V 电流:2.4A
- 描述
- P沟道,-20V-2.4A
- 品牌名称
- WILLSEMI(韦尔)
- 商品型号
- WPM2015-3/TR
- 商品编号
- C213159
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.039克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 2.4A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 110mΩ@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 900mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 810mV@250uA | |
| 栅极电荷量(Qg) | 7.3nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 534pF@10V | |
| 反向传输电容(Crss) | 54pF@10V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | P沟道 |
商品概述
WPM2015是P沟道增强型MOS场效应晶体管。采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷的情况下提供出色的RDS(ON)。该器件适用于DC-DC转换、电源开关和充电电路。标准产品WPM2015无铅且无卤素。
商品特性
~~- 沟槽技术-超高密度单元设计-出色的导通电阻,适用于更高的直流电流-极低的阈值电压-小封装SOT-23
应用领域
- 继电器、螺线管、电机、LED等的驱动器-DC-DC转换器电路-电源开关-负载开关-充电
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