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NTUD3169CZT5G
1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:220mA
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- 描述
- 这是一款互补 20 V 小信号 MOSFET，采用 1.0 x 1.0 mm SOT-963 封装。
- 品牌名称
- onsemi(安森美)
- 商品型号
- NTUD3169CZT5G
- 商品编号
- C213059
- 商品封装
- SOT-963-6
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.01克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 5Ω@4.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | - | |
| 输入电容(Ciss) | 13.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 2.6pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道+P沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 3.8pF |
商品特性
- 互补MOSFET器件
- 在1.0 x 1.0 mm超小封装中提供低导通电阻(RDS(on))解决方案
- 栅极电压额定值为1.5 V
- 超薄外形(< 0.5 mm)使其能够轻松适配如便携式电子产品等超薄环境
- 这是一款无铅器件
应用领域
-带电平转换的负载开关-专为超便携式设备的电源管理优化