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2SK3018W
1个N沟道 耐压:30V 电流:100mA
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- 描述
- 特性：VDS = 30V。 ID = 0.1A。 RDS(on)@VGS = 4V < 8Ω。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 13Ω。 Trench Power LV MOSFET技术。 用于低RDS(ON)的高密度单元设计。应用：接口。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- 2SK3018W
- 商品编号
- C20069149
- 商品封装
- SOT-323
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.033233克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 30V | |
| 连续漏极电流(Id) | 100mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 8Ω@4V；13Ω@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 200mW |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 13pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 4pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 9pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 30V
- 漏极电流(ID) = 0.1A
- 栅源电压(VGS) = 4V 时,导通电阻(RDS(on)) < 8Ω
- 栅源电压(VGS) = 2.5V 时,导通电阻(RDS(on)) < 13Ω
- 沟槽功率低压 MOSFET 技术
- 用于低导通电阻(RDS(ON))的高密度单元设计
- 高速开关
应用领域
- 接口连接
- 负载开关