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FDV301N
1个N沟道 耐压:25V 电流:220mA
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- 描述
- 特性：VDS = 25V。 ID = 0.22A。 RDS(on)@VGS = 4.5V < 4.0Ω。 RDS(on)@VGS = 2.7V < 5.0Ω。 沟槽功率MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 固态继电器
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- FDV301N
- 商品编号
- C20069151
- 商品封装
- SOT-23
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.031104克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 25V | |
| 连续漏极电流(Id) | 220mA | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 4Ω@4.5V；5Ω@2.7V | |
| 耗散功率(Pd) | 350mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 800mV |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 490pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 9.5pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 1.3pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 6pF |
商品特性
- 漏源电压(VDS) = 25 V
- 漏极电流(ID) = 0.22 A
- 栅源电压(VGS) = 4.5 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 4.0 Ω
- 栅源电压(VGS) = 2.7 V 时,导通电阻(RDS(on)) < 5.0 Ω
- 沟槽功率中压 MOSFET 技术
- 电压控制小信号开关
- 快速开关速度
应用领域
- 电池供电系统
- 固态继电器
- 直接逻辑电平接口:TTL/CMOS
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