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HJ8205
N沟道 耐压:20V 电流:4.3A
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- 描述
- 特性：VDS = 20V。 I0 = 4.3A。 RDS(on)@VGS = 4.0V < 30mΩ。 RDS(on)@VGS = 2.5V < 46mΩ。 沟槽功率低压MOSFET技术。 电压控制小信号开关。应用：电池供电系统。 负载开关
- 品牌名称
- R+O(宏嘉诚)
- 商品型号
- HJ8205
- 商品编号
- C20069150
- 商品封装
- SOT-23-6L
- 包装方式
- 编带
- 商品毛重
- 0.0377克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 数量 | - | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 4.3A | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 30mΩ@4.0V；46mΩ@2.5V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.25W | |
| 阈值电压(Vgs(th)) | 1V@250uA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 栅极电荷量(Qg) | 6.2nC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss) | 550pF | |
| 反向传输电容(Crss) | 138pF | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 类型 | N沟道 | |
| 输出电容(Coss) | 164pF |
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