商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 模拟开关/多路复用器 | |
| 开关电路 | 2:1 | |
| 工作电压 | 3V~3.6V | |
| 导通时间(ton) | 200us | |
| 导通电阻(Ron) | 1.9Ω |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 工作温度 | -40℃~+85℃ | |
| 导通电容(Con) | 2.3pF | |
| 带宽 | 18GHz | |
| 传播延迟(tpd) | 41ps |
商品概述
ADGM1121是一款宽带双刀双掷(DPDT)开关,采用微机电系统(MEMS)开关技术制造。该技术使开关具备小尺寸、宽射频带宽、高线性度和低插入损耗的特点,且可在0 Hz/直流条件下工作,是满足各种射频和精密设备开关需求的理想解决方案。 集成驱动芯片可产生高电压,以静电方式驱动开关,该开关可通过并行接口和串行外设接口(SPI)进行控制。所有开关均可独立控制。 该器件采用24引脚、5 mmx4 mmx1 mm的焊盘网格阵列(LGA)封装。 ADGM1121的导通电阻(Rₒₙ)性能受器件间差异、通道间差异、开关动作次数、开启后稳定时间、偏置电压和温度变化的影响。
商品特性
- 频率范围:直流至18 GHz
- 最高支持64 Gbps的高比特率
- 低插入损耗:8 GHz时为0.5 dB(典型值);16 GHz时为1.0 dB(典型值)
- 高输入三阶交调截点(IIP3):73 dBm(典型值)
- 高射频功率处理能力:33 dBm(最大值)
- 导通电阻:1.9 Ω(典型值)
- 高直流电流处理能力:200 mA
- 高开关循环次数:1亿次(最小值)
- 快速开关时间:导通时间Tₒₙ为200 µs(典型值)
- 集成3.3 V驱动,可通过并行接口和SPI轻松控制
- 节省空间的集成无源元件,包括去耦电阻和并联电阻
- 小型5 mmx4 mmx1 mm、24引脚塑料封装
- 温度范围:-40℃至+85℃
应用领域
- 自动测试设备(ATE)负载板和探针板
- 带高速环回测试的直流应用
- 高速串行解串器(SerDes)、PCIe Gen4/5、USB4、PAM4
- 继电器替代
- 可重构滤波器/衰减器
- 蜂窝基础设施:5G毫米波
优惠活动
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起订量:1 个1000个/圆盘
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