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2SD1668R

2SD1668R

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品牌名称
onsemi(安森美)
商品型号
2SD1668R
商品编号
C20047150
包装方式
袋装
商品毛重
1克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录三极管(BJT)
晶体管类型NPN
集电极电流(Ic)12A
集射极击穿电压(Vceo)50V
耗散功率(Pd)2W
属性参数值
特征频率(fT)10MHz
集电极截止电流(Icbo)100uA
集射极饱和电压(VCE(sat))400mV@4A,0.4A
射基极击穿电压(Vebo)6V
数量1个NPN

商品特性

  • 低饱和集电极-发射极电压:VCE(sat) 最大为 -0.4 V。
  • 宽安全工作区(ASO),具有高击穿抗性。
  • 无云母封装,便于安装。

应用领域

  • 继电器驱动器、高速逆变器、转换器及其他通用大电流开关应用。

数据手册PDF