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STGWA35IH135DF2实物图
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STGWA35IH135DF2

采用先进沟槽栅场截止结构的软开关IGBT,内置低正向压降续流二极管

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商品型号
STGWA35IH135DF2
商品编号
C20033852
商品封装
TO-247LONGLEADS​
包装方式
管装
商品毛重
7.562克(g)

商品参数

属性参数值
商品目录IGBT管/模块
IGBT类型FS(场截止)
耗散功率(Pd)416W
集射极击穿电压(Vces)1.35kV
集电极电流(Ic)35A
集电极脉冲电流(Icm)140A
集电极截止电流(Ices)25uA
集射极饱和电压(VCE(sat))1.7V
属性参数值
栅极阈值电压(Vge(th))6V
栅极电荷量(Qg)258nC@15V
输入电容(Cies)2.92nF
输出电容(Coes)124pF
反向传输电容(Cres)69pF
关断延迟时间(Td(off))368ns
关断损耗(Eoff)1.6mJ
工作温度-55℃~+175℃

商品概述

最新的1350V IGBT IH2系列采用先进的专有沟槽栅场截止结构开发,其性能针对软换流在导通和开关损耗方面进行了优化。该系列包含一个具有低正向压降的续流二极管。其产品专门设计用于在任何谐振和软开关应用中实现效率最大化。

商品特性

  • 专为软换流设计
  • 最高结温:TJ = 175°C
  • VCE(sat) = 1.7V(典型值),在IC = 30A时
  • 最小化尾电流
  • 紧密的参数分布
  • 低热阻
  • 极低的压降和软恢复共封装二极管
  • 正的VCE(sat)温度系数

应用领域

  • 感应加热
  • 谐振转换器
  • 微波炉

数据手册PDF