ZTX651QSTZ
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN | |
| 集电极电流(Ic) | 2A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 60V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.5W |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 300mV | |
| 工作温度 | -55℃~+200℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V |
商品特性
- BVCEO > 60V
- IC = 2A 高连续集电极电流
- ICM = 6A 峰值脉冲电流
- 最高Td可达 +200°C，适用于高温操作
- 低饱和电压 < 300mV（1A时）
- PD = 1W 功率耗散
- 完全无铅且完全符合RoHS标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- 符合AEC - Q101标准，具备高可靠性和生产件批准程序（PPAP）能力