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商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 200mA | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 40V |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 耗散功率(Pd) | 200mW | |
| 特征频率(fT) | 250MHz | |
| 集电极截止电流(Icbo) | 50nA | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 6V |
商品特性
- 集电极 - 发射极击穿电压（BVCEO）> -40V
- 集电极电流（IC）= -200 mA，高集电极电流
- 外延平面芯片结构
- 非常适合中功率放大和开关应用
- 超小型表面贴装封装
- 完全无铅，完全符合 RoHS 标准
- 无卤素和锑，“绿色”器件
- MMDT3906Q 适用于需要特定变更控制的汽车应用；该器件符合 AEC - Q101 标准，具备生产件批准程序（PPAP）能力，并在通过 IATF 16949 认证的工厂生产。