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DXTC3C100PDQ-13
DXTC3C100PDQ-13
- 品牌名称
- DIODES(美台)
- 商品型号
- DXTC3C100PDQ-13
- 商品编号
- C19950078
- 商品封装
- PowerDI5060-8(TYPEUxD)
- 包装方式
- 袋装
- 商品毛重
- 1克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 三极管(BJT) | |
| 晶体管类型 | NPN+PNP | |
| 集电极电流(Ic) | 3A | |
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V | |
| 耗散功率(Pd) | 1.47W | |
| 特征频率(fT) | 130MHz |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 集电极截止电流(Icbo) | 100nA | |
| 集射极饱和电压(VCE(sat)) | 330mV | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃ | |
| 射基极击穿电压(Vebo) | 7V | |
| 数量 | 1个NPN+1个PNP |
商品特性
- NPN晶体管：
- BCEO电压 > 100V
- 连续集电极电流 lC = 3A
- 峰值脉冲电流 lCM = 8A
- RCE(sat) = 90mΩ（典型值）
- PNP晶体管：
- BCEO电压 > -100V
- 连续集电极电流 lC = -3A
- 峰值脉冲电流 lCM = -8A
- RCE(sat) = 110mΩ（典型值）
- DXTC3C100PDQ适用于需要特定变更控制的汽车应用；该产品符合AEC - Q101标准，具备PPAP能力，并在通过IATF16949认证的工厂生产。
应用领域
- 电源管理
- 负载开关
- MOSFET和IGBT栅极驱动器