DMG1012T-7
1个N沟道 耐压:20V 电流:630mA
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- 品牌名称DIODES(美台)
商品型号
DMG1012T-7商品编号
C20512商品封装
SOT-523包装方式
编带
商品毛重
0.026克(g)
商品参数
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 商品目录 | 场效应管(MOSFET) | |
| 类型 | 1个N沟道 | |
| 漏源电压(Vdss) | 20V | |
| 连续漏极电流(Id) | 630mA | |
| 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id) | 400mΩ@4.5V,600mA |
| 属性 | 参数值 | |
|---|---|---|
| 功率(Pd) | 280mW | |
| 阈值电压(Vgs(th)@Id) | 1V@250uA | |
| 栅极电荷(Qg@Vgs) | 740pC@4.5V | |
| 输入电容(Ciss@Vds) | 60.67pF@16V | |
| 工作温度 | -55℃~+150℃@(Tj) |
FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：630mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：60.67pF @ 16V
功率 - 最大值：280mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-523
供应商器件封装：SOT-523
FET 功能：标准
漏源极电压（Vdss）：20V
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）：630mA（Ta）
不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）：400 毫欧 @ 600mA，4.5V
不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）：0.74nC @ 4.5V
不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：60.67pF @ 16V
功率 - 最大值：280mW
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装
封装/外壳：SOT-523
供应商器件封装：SOT-523
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